MOSFET Infineon canal N, A-220 120 A 120 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
120 A
Tension Drain Source maximum
120 V
Série
OptiMOS™ 3
Type de boîtier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
4,1 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
300 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.36mm
Charge de Grille type @ Vgs
158 nC
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
4.57mm
Matériau du transistor
Si
Hauteur
15.95mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Détails du produit
Transistors MOSFET d'alimentation Infineon OptiMOS™3, 100 V et au-delà
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 69,10
€ 3,455 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
20
€ 69,10
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
20
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 20 - 98 | € 3,455 | € 6,91 |
| 100 - 198 | € 2,995 | € 5,99 |
| 200 - 498 | € 2,847 | € 5,69 |
| 500+ | € 2,546 | € 5,09 |
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N
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120 A
Tension Drain Source maximum
120 V
Série
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Type de boîtier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
4,1 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
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Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.36mm
Charge de Grille type @ Vgs
158 nC
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
4.57mm
Matériau du transistor
Si
Hauteur
15.95mm
Température de fonctionnement minimum
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Tension directe de la diode
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