MOSFET Infineon canal N, A-220 45 A 60 V, 3 broches

N° de stock RS: 892-2276PMarque: InfineonN° de pièce Mfr: IPP060N06NAKSA1
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Documents techniques

Spécifications

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

45 A

Tension Drain Source maximum

-60 V

Série

OptiMOS™ 5

Type de boîtier

TO-220

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

9 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

3.3V

Tension de seuil minimale de la grille

2.1V

Dissipation de puissance maximum

83 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

4.57mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.36mm

Charge de Grille type @ Vgs

27 nC @ -10 V

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Hauteur

15.95mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Tension directe de la diode

1.2V

Détails du produit

Transistors de puissance MOSFET OptiMOS™5 d'Infineon

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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Prix ​​sur demande

Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)

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Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

9 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

3.3V

Tension de seuil minimale de la grille

2.1V

Dissipation de puissance maximum

83 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

4.57mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.36mm

Charge de Grille type @ Vgs

27 nC @ -10 V

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Hauteur

15.95mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Tension directe de la diode

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