MOSFET Infineon canal N, A-220 100 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
100 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
5,1 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
300 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Charge de Grille type @ Vgs
135 nF @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
10mm
Largeur
4.4mm
Série
OptiMOS T
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
9.25mm
Détails du produit
Transistors de puissance MOSFET OptiMOS™T d'Infineon
Les produits OptiMOS™ sont disponibles dans des boîtiers haute performance pour gérer les applications les plus difficiles ce qui donne une flexibilité totale dans les espaces réduits. Ces produits d'Infineon sont conçus pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance des normes de régulation de tension des applications informatiques plus pointues de la prochaine génération et pour les dépasser.
Canal N - Mode d'enrichissement
Certifié AEC-Q101 automobile
MSL1 soudure par refusion jusqu'à 260 °C
Température d'utilisation de 175 °C
Produit vert (conforme à la norme RoHS)
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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Prix sur demande
Paquet de production (Tube)
1
Prix sur demande
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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N
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5,1 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
300 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Charge de Grille type @ Vgs
135 nF @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
10mm
Largeur
4.4mm
Série
OptiMOS T
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
9.25mm
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Transistors de puissance MOSFET OptiMOS™T d'Infineon
Les produits OptiMOS™ sont disponibles dans des boîtiers haute performance pour gérer les applications les plus difficiles ce qui donne une flexibilité totale dans les espaces réduits. Ces produits d'Infineon sont conçus pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance des normes de régulation de tension des applications informatiques plus pointues de la prochaine génération et pour les dépasser.
Canal N - Mode d'enrichissement
Certifié AEC-Q101 automobile
MSL1 soudure par refusion jusqu'à 260 °C
Température d'utilisation de 175 °C
Produit vert (conforme à la norme RoHS)
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