Transistor MOSFET Infineon canal N, A-220 88 A 200 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
88 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type de conditionnement
A-220
Séries
OptiMOS™ 3
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
11 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
300 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
10.36mm
Charge de Grille type @ Vgs
65 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.57mm
Taille
9.45mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Germany
Détails du produit
Transistors MOSFET d'alimentation Infineon OptiMOS™3, 100 V et au-delà
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 285,77
€ 5,715 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
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300 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
10.36mm
Charge de Grille type @ Vgs
65 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
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Nombre d'éléments par circuit
1
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4.57mm
Taille
9.45mm
Température de fonctionnement minimum
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Pays d'origine
Germany
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Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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