MOSFET Infineon canal N, A-220 88 A 200 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
88 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type de boîtier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
11 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
300 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
10.36mm
Charge de Grille type @ Vgs
65 nC @ 10 V
Largeur
4.57mm
Matériau du transistor
Si
Série
OptiMOS 3
Tension directe de la diode
1.2V
Hauteur
15.95mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistors MOSFET d'alimentation Infineon OptiMOS™3, 100 V et au-delà
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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3
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Mode de canal
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Configuration du transistor
Single
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±20 V
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1
Température d'utilisation maximum
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Longueur
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Charge de Grille type @ Vgs
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Largeur
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Matériau du transistor
Si
Série
OptiMOS 3
Tension directe de la diode
1.2V
Hauteur
15.95mm
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Transistors MOSFET d'alimentation Infineon OptiMOS™3, 100 V et au-delà
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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