MOSFET Infineon canal N, A-220 83 A 150 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
83 A
Tension Drain Source maximum
150 V
Type de boîtier
TO-220
Séries
OptiMOS™ 3
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
11.3 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
214 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
4.57mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.36mm
Charge de Grille type @ Vgs
41 nC @ 10 V
Taille
15.95mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Détails du produit
Transistors MOSFET d'alimentation Infineon OptiMOS™3, 100 V et au-delà
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 13,93
€ 3,482 Each (In a Pack of 4) (hors TVA)
Standard
4
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Standard
4
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 4 - 16 | € 3,482 | € 13,93 |
| 20 - 36 | € 3,308 | € 13,23 |
| 40 - 96 | € 3,171 | € 12,68 |
| 100 - 196 | € 3,031 | € 12,12 |
| 200+ | € 2,82 | € 11,28 |
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Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
11.3 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
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Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
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Matériau du transistor
Si
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1
Longueur
10.36mm
Charge de Grille type @ Vgs
41 nC @ 10 V
Taille
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