MOSFET Infineon canal N, A-220 50 A 150 V, 3 broches

N° de stock RS: 823-5611PMarque: InfineonN° de pièce Mfr: IPP200N15N3 G
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Documents techniques

Spécifications

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

50 A

Tension Drain Source maximum

150 V

Type de conditionnement

TO-220

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

20 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

150 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Longueur

10.36mm

Charge de Grille type @ Vgs

23 nC @ 10 V

Largeur

4.57mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Taille

15.95mm

Séries

OptiMOS 3

Pays d'origine

China

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MOSFET IXYS canal N, A-220 50 A 200 V, 3 broches
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Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

20 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

150 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Longueur

10.36mm

Charge de Grille type @ Vgs

23 nC @ 10 V

Largeur

4.57mm

Matériau du transistor

Si

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1

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