MOSFET Infineon canal N, A-220 50 A 150 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
50 A
Tension Drain Source maximum
150 V
Type de boîtier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
20 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
150 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
10.36mm
Charge de Grille type @ Vgs
23 nC @ 10 V
Largeur
4.57mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
15.95mm
Séries
OptiMOS 3
Pays d'origine
China
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Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
5
Prix sur demande
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Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
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150 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
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Longueur
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Charge de Grille type @ Vgs
23 nC @ 10 V
Largeur
4.57mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
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