MOSFET Infineon canal N, A-220 61 A 250 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
61 A
Tension Drain Source maximum
250 V
Séries
OptiMOS FD
Type de conditionnement
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
22 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
300 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.36mm
Charge de Grille type @ Vgs
65 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
4.57mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Taille
15.95mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor de puissance MOSFET FD Infineon OptiMOS™
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 139,04
€ 2,781 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
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1
Longueur
10.36mm
Charge de Grille type @ Vgs
65 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
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Largeur
4.57mm
Température de fonctionnement minimum
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Tension directe de la diode
1.2V
Taille
15.95mm
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