Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
18,5 A
Tension Drain Source maximum
550 V
Série
CoolMOS™ CE
Type de boîtier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
190 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
127 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.36mm
Charge de Grille type @ Vgs
47,2 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
4.57mm
Hauteur
15.95mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
0.85V
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™ CE
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
€ 60,52
€ 1,21 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
50
€ 60,52
€ 1,21 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
50
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 90 | € 1,21 | € 12,10 |
| 100 - 240 | € 1,159 | € 11,59 |
| 250 - 490 | € 1,108 | € 11,08 |
| 500+ | € 1,032 | € 10,32 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
18,5 A
Tension Drain Source maximum
550 V
Série
CoolMOS™ CE
Type de boîtier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
190 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
127 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.36mm
Charge de Grille type @ Vgs
47,2 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
4.57mm
Hauteur
15.95mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
0.85V
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™ CE
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.


