MOSFET Infineon canal N, A-220 37,9 A 650 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
37,9 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Séries
CoolMOS™ C6
Type de boîtier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
99 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
35 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.65mm
Charge de Grille type @ Vgs
119 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
4.9mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
0.9V
Taille
16.15mm
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™C6/C7
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 12,00
€ 6,002 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
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Standard
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 6,002 | € 12,00 |
| 10 - 18 | € 5,342 | € 10,68 |
| 20 - 48 | € 4,98 | € 9,96 |
| 50 - 98 | € 4,683 | € 9,36 |
| 100+ | € 4,32 | € 8,64 |
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N
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Tension Drain Source maximum
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TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
99 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
35 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.65mm
Charge de Grille type @ Vgs
119 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
4.9mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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0.9V
Taille
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MOSFET Transistors, Infineon
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