MOSFET Infineon canal N, A-220 20,2 A 650 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
20,2 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Type de boîtier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
190 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
151 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Longueur
10.36mm
Charge de Grille type @ Vgs
63 nC @ 10 V
Largeur
15.95mm
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Hauteur
4.57mm
Série
CoolMOS C6
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
0.9V
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™C6/C7
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 4) (hors TVA)
Standard
4
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Largeur
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Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
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Série
CoolMOS C6
Température de fonctionnement minimum
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Tension directe de la diode
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Transistor MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™C6/C7
MOSFET Transistors, Infineon
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