MOSFET Infineon canal N, A-220 16 A 650 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
-16 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Type de boîtier
TO-220
Série
CoolMOS CP
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
490 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
139 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Longueur
10.36mm
Charge de Grille type @ Vgs
32 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
4.57mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Hauteur
15.95mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™CP
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
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Single
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±30 V
Longueur
10.36mm
Charge de Grille type @ Vgs
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150 °C
Largeur
4.57mm
Matériau du transistor
Si
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1
Hauteur
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Température de fonctionnement minimum
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Transistor MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™CP
MOSFET Transistors, Infineon
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