MOSFET Infineon canal N, A-220 13,8 A 700 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
13.8 A
Tension Drain Source maximum
700 V
Type de boîtier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
280 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
104 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
10.36mm
Charge de Grille type @ Vgs
45 nC V @ 10
Largeur
15.95mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si
Tension directe de la diode
0.9V
Hauteur
4.57mm
Série
CoolMOS E6
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistors MOSFET de puissance Infineon série CoolMOS™E6/P6
La gamme Infineon de transistors MOSFET série CoolMOS™E6 et P6. Ces dispositifs extrêmement efficaces peuvent être utilisés dans plusieurs applications, y compris la correction du facteur de puissance (PFC), l'éclairage et les appareils grand public, ainsi que l'énergie solaire, les télécommunications et les serveurs.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
104 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
10.36mm
Charge de Grille type @ Vgs
45 nC V @ 10
Largeur
15.95mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si
Tension directe de la diode
0.9V
Hauteur
4.57mm
Série
CoolMOS E6
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistors MOSFET de puissance Infineon série CoolMOS™E6/P6
La gamme Infineon de transistors MOSFET série CoolMOS™E6 et P6. Ces dispositifs extrêmement efficaces peuvent être utilisés dans plusieurs applications, y compris la correction du facteur de puissance (PFC), l'éclairage et les appareils grand public, ainsi que l'énergie solaire, les télécommunications et les serveurs.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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