MOSFET Infineon canal N, A-247 31 A 650 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
31 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Série
CoolMOS CP
Type de conditionnement
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
99 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
255 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
16.13mm
Charge de Grille type @ Vgs
14 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
5.21mm
Matériau du transistor
Si
Hauteur
21.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Germany
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™CP
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 129,25
€ 4,308 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Longueur
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Charge de Grille type @ Vgs
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Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
5.21mm
Matériau du transistor
Si
Hauteur
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MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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