MOSFET Infineon canal N, A-247 31 A 650 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
31 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Série
CoolMOS CP
Type de conditionnement
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
99 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
255 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
14 nC V @ 10
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
16.13mm
Largeur
5.21mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
21.1mm
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™CP
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 6,63
€ 6,63 Each (hors TVA)
Standard
1
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Tension de seuil maximale de la grille
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Tension de seuil minimale de la grille
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Matériau du transistor
Si
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1
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16.13mm
Largeur
5.21mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
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Hauteur
21.1mm
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Transistor MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™CP
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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