MOSFET Infineon canal N, A-247 24 A 650 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
24 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Séries
CoolMOS™ C6
Type de boîtier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
160 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
176 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.21mm
Longueur
16.13mm
Charge de Grille type @ Vgs
75 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
21.1mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™C6/C7
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 106,65
€ 3,555 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
€ 106,65
€ 3,555 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 30 - 30 | € 3,555 | € 106,65 |
| 60 - 120 | € 3,378 | € 101,34 |
| 150 - 270 | € 3,235 | € 97,04 |
| 300 - 570 | € 3,093 | € 92,78 |
| 600+ | € 2,879 | € 86,38 |
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N
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24 A
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650 V
Séries
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Type de boîtier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
160 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
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Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.21mm
Longueur
16.13mm
Charge de Grille type @ Vgs
75 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
21.1mm
Pays d'origine
China
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MOSFET Transistors, Infineon
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