MOSFET Infineon canal N, A-247 21 A 650 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
21,2 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Type de boîtier
TO-247
Série
CoolMOS CP
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
160 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
192 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
39 nF @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
5.21mm
Longueur
16.13mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Hauteur
21.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™CP
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 127,14
€ 4,238 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
€ 127,14
€ 4,238 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
30
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 30 - 30 | € 4,238 | € 127,14 |
| 60 - 120 | € 4,027 | € 120,80 |
| 150+ | € 3,857 | € 115,72 |
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
21,2 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Type de boîtier
TO-247
Série
CoolMOS CP
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
160 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
192 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
39 nF @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
5.21mm
Longueur
16.13mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Hauteur
21.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™CP
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.