MOSFET Infineon canal N, A-247 43,3 A 700 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
43,3 A
Tension Drain Source maximum
700 V
Série
CoolMOS™ CFD
Type de conditionnement
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
80 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
391 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Largeur
5.21mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
16.13mm
Charge de Grille type @ Vgs
167 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
21.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
0.9V
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™ CFD
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 10,71
€ 10,71 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 10,71
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
1
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 4 | € 10,71 |
| 5 - 9 | € 10,17 |
| 10 - 24 | € 9,97 |
| 25 - 49 | € 9,32 |
| 50+ | € 8,67 |
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N
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43,3 A
Tension Drain Source maximum
700 V
Série
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Type de conditionnement
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
80 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
391 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Largeur
5.21mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
16.13mm
Charge de Grille type @ Vgs
167 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
21.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
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