MOSFET Infineon canal N, A-247 11 A 900 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
11 A
Tension Drain Source maximum
900 V
Type de boîtier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
500 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
156 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
16.13mm
Charge de Grille type @ Vgs
68 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
21.1mm
Matériau du transistor
Si
Série
CoolMOS C3
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Hauteur
5.21mm
Détails du produit
Transistors MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™C3
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Largeur
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Si
Série
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Température de fonctionnement minimum
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Hauteur
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