MOSFET Infineon canal N, TO-220AB 190 A 40 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
190 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Séries
HEXFET
Type de boîtier
TO-220AB
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
4 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
220000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.54mm
Charge de Grille type @ Vgs
100 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
4.69mm
Taille
8.77mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Mexico
Détails du produit
Transistor MOSFET pour commande de moteur et redresseur c.a.-c.c. synchrone, Infineon
MOSFET de commande moteur
Infineon propose une gamme de dispositifs MOSFET robustes à canal N et à canal P pour les applications de commande moteur.
MOSFET redresseur synchrone
La gamme de dispositifs MOSFET de redressement synchrones pour alimentations c.a.-c.c. répond aux demandes de vos clients pour une plus grande densité de puissance, une taille plus réduite, plus de portabilité et des systèmes plus souples.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 47,42
€ 0,948 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,948 | € 47,42 |
| 100 - 200 | € 0,901 | € 45,04 |
| 250 - 450 | € 0,863 | € 43,14 |
| 500 - 1200 | € 0,806 | € 40,29 |
| 1250+ | € 0,758 | € 37,91 |
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InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
190 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Séries
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Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
4 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
220000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.54mm
Charge de Grille type @ Vgs
100 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
4.69mm
Taille
8.77mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Mexico
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Transistor MOSFET pour commande de moteur et redresseur c.a.-c.c. synchrone, Infineon
MOSFET de commande moteur
Infineon propose une gamme de dispositifs MOSFET robustes à canal N et à canal P pour les applications de commande moteur.
MOSFET redresseur synchrone
La gamme de dispositifs MOSFET de redressement synchrones pour alimentations c.a.-c.c. répond aux demandes de vos clients pour une plus grande densité de puissance, une taille plus réduite, plus de portabilité et des systèmes plus souples.
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