MOSFET Infineon canal N, TO-220AB 110 A 55 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
110 A
Tension Drain Source maximum
55 V
Type de conditionnement
TO-220AB
Série
HEXFET
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
7 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
170 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.54mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Charge de Grille type @ Vgs
76 nC @ 10 V
Largeur
4.69mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
8.77mm
Détails du produit
Transistor MOSFET pour commande de moteur et redresseur c.a.-c.c. synchrone, Infineon
MOSFET de commande moteur
Infineon propose une gamme de dispositifs MOSFET robustes à canal N et à canal P pour les applications de commande moteur.
MOSFET redresseur synchrone
La gamme de dispositifs MOSFET de redressement synchrones pour alimentations c.a.-c.c. répond aux demandes de vos clients pour une plus grande densité de puissance, une taille plus réduite, plus de portabilité et des systèmes plus souples.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 24,29
€ 1,214 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
20
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Paquet de production (Tube)
20
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 20 - 48 | € 1,214 | € 2,43 |
| 50 - 98 | € 1,138 | € 2,28 |
| 100 - 198 | € 1,056 | € 2,11 |
| 200+ | € 0,986 | € 1,97 |
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N
Courant continu de Drain maximum
110 A
Tension Drain Source maximum
55 V
Type de conditionnement
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Série
HEXFET
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
7 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
170 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.54mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Charge de Grille type @ Vgs
76 nC @ 10 V
Largeur
4.69mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
8.77mm
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Transistor MOSFET pour commande de moteur et redresseur c.a.-c.c. synchrone, Infineon
MOSFET de commande moteur
Infineon propose une gamme de dispositifs MOSFET robustes à canal N et à canal P pour les applications de commande moteur.
MOSFET redresseur synchrone
La gamme de dispositifs MOSFET de redressement synchrones pour alimentations c.a.-c.c. répond aux demandes de vos clients pour une plus grande densité de puissance, une taille plus réduite, plus de portabilité et des systèmes plus souples.
MOSFET Transistors, Infineon
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