Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
110 A
Tension Drain Source maximum
55 V
Série
HEXFET
Type de boîtier
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
0,0065 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Silicium
€ 66,20
€ 1,324 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
€ 66,20
€ 1,324 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
50
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 50 - 90 | € 1,324 | € 13,24 |
| 100 - 240 | € 1,267 | € 12,67 |
| 250 - 490 | € 1,212 | € 12,12 |
| 500+ | € 1,129 | € 11,28 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
110 A
Tension Drain Source maximum
55 V
Série
HEXFET
Type de boîtier
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
0,0065 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Silicium


