MOSFET Infineon canal N, DirectFET ISOMETRIC 81 A 20 V

N° de stock RS: 222-4738Marque: InfineonN° de pièce Mfr: IRF6636TRPBF
brand-logo
Tout voir dans Transistors MOSFET

Documents techniques

Spécifications

Brand

Infineon

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

81 A

Tension Drain Source maximum

20 V (canal N), -20 V (canal P)

Type de boîtier

DirectFET isométrique

Séries

HEXFET

Type de fixation

CMS

Résistance Drain Source maximum

0,0064 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2.45V

Matériau du transistor

Silicium

Nombre d'éléments par circuit

1

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

€ 4 359,16

€ 0,908 Each (On a Reel of 4800) (hors TVA)

MOSFET Infineon canal N, DirectFET ISOMETRIC 81 A 20 V

4800

Disponible en multiples de 4800
4800€ 4 359,16
9600€ 8 718,31
14400€ 13 077,47
19200€ 17 436,63
24000€ 21 795,78
28800€ 26 154,94
33600€ 30 514,10
38400€ 34 873,25
43200€ 39 232,41
48000€ 43 591,56
52800€ 47 950,72
57600€ 52 309,88
62400€ 56 669,03
67200€ 61 028,19
72000€ 65 387,35

€ 4 359,16

€ 0,908 Each (On a Reel of 4800) (hors TVA)

MOSFET Infineon canal N, DirectFET ISOMETRIC 81 A 20 V
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

4800

Disponible en multiples de 4800
4800€ 4 359,16
9600€ 8 718,31
14400€ 13 077,47
19200€ 17 436,63
24000€ 21 795,78
28800€ 26 154,94
33600€ 30 514,10
38400€ 34 873,25
43200€ 39 232,41
48000€ 43 591,56
52800€ 47 950,72
57600€ 52 309,88
62400€ 56 669,03
67200€ 61 028,19
72000€ 65 387,35

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

Veuillez vérifier à nouveau plus tard.

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus

Documents techniques

Spécifications

Brand

Infineon

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

81 A

Tension Drain Source maximum

20 V (canal N), -20 V (canal P)

Type de boîtier

DirectFET isométrique

Séries

HEXFET

Type de fixation

CMS

Résistance Drain Source maximum

0,0064 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2.45V

Matériau du transistor

Silicium

Nombre d'éléments par circuit

1

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus