MOSFET Infineon canal N, DirectFET isométrique 86 A 60 V
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
86 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Série
DirectFET, HEXFET
Type de conditionnement
DirectFET isométrique
Type de fixation
CMS
Résistance Drain Source maximum
7 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.9V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
89 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.05mm
Longueur
6.35mm
Charge de Grille type @ Vgs
36 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Tension directe de la diode
1.3V
Hauteur
0.5mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance DirectFET®, Infineon
Le boîtier de puissance DirectFET® est une technologie de boîtier de transistor de puissance MOSFET à montage en surface. Les transistors MOSFET DirectFET® permettent de réduire les pertes d'énergie tout en réduisant l'encombrement dans les applications de commutation avancées.
La résistance à l'état passant la plus faible du secteur dans leurs tailles respectives
Résistance de boîtier extrêmement faible pour minimiser les pertes de conduction
Refroidissement double face très efficace améliorant considérablement la densité de puissance, le coût et la fiabilité
Bas profil de seulement 0,7 mm
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 4 262,40
€ 0,888 Each (On a Reel of 4800) (hors TVA)
4800
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CMS
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7 mΩ
Mode de canal
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4.9V
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3V
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Tension Grille Source maximum
±20 V
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1
Largeur
5.05mm
Longueur
6.35mm
Charge de Grille type @ Vgs
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Température d'utilisation maximum
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Température de fonctionnement minimum
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Hauteur
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China
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Le boîtier de puissance DirectFET® est une technologie de boîtier de transistor de puissance MOSFET à montage en surface. Les transistors MOSFET DirectFET® permettent de réduire les pertes d'énergie tout en réduisant l'encombrement dans les applications de commutation avancées.
La résistance à l'état passant la plus faible du secteur dans leurs tailles respectives
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