Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
54,9 A
Tension Drain Source maximum
80 V
Séries
HEXFET
Type de conditionnement
DirectFET isométrique
Type de montage
CMS
Nombre de broches
7
Résistance Drain Source maximum
0,015 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.9V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si
€ 3 893,51
€ 0,811 Each (On a Reel of 4800) (hors TVA)
4800
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InfineonType de canal
N
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54,9 A
Tension Drain Source maximum
80 V
Séries
HEXFET
Type de conditionnement
DirectFET isométrique
Type de montage
CMS
Nombre de broches
7
Résistance Drain Source maximum
0,015 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.9V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si