MOSFET Infineon canal N/P, SO-8 3,4 A, 4,7 A 55 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N, P
Courant continu de Drain maximum
3,4 A, 4,7 A
Tension Drain Source maximum
55 V
Série
IRF7343PbF
Type de boîtier
SO-8
Type de fixation
CMS
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum
0,065 Ω, 0,17 Ω
Mode de canal
Depletion
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
2 W
Tension Grille Source maximum
20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4mm
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
2,3 nC @ 10 V, 24 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Taille
1.5mm
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€ 1 608,14
€ 0,402 Each (On a Reel of 4000) (hors TVA)
4000
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Type de boîtier
SO-8
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CMS
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8
Résistance Drain Source maximum
0,065 Ω, 0,17 Ω
Mode de canal
Depletion
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
2 W
Tension Grille Source maximum
20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4mm
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
2,3 nC @ 10 V, 24 nC @ 10 V
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150 °C
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