MOSFET Transistor & Diode Infineon canal N, SO-8 5,4 A 100 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
5,4 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Séries
HEXFET
Type de conditionnement
SO-8
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
0.039 O
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
20V
Nombre d'éléments par circuit
2
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€ 1 478,36
€ 0,37 Each (On a Reel of 4000) (hors TVA)
4000
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