MOSFET Infineon canal P, SOIC 16 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
-16 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de conditionnement
SOIC W
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
7 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.4V
Tension de seuil minimale de la grille
1.3V
Dissipation de puissance maximum
2.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
3.99mm
Matériau du transistor
Si
Charge de Grille type @ Vgs
31 nC @ 4,5 V, 61 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
4.98mm
Série
HEXFET
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
1.57mm
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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P
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SOIC W
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
7 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.4V
Tension de seuil minimale de la grille
1.3V
Dissipation de puissance maximum
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Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
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Matériau du transistor
Si
Charge de Grille type @ Vgs
31 nC @ 4,5 V, 61 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
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