MOSFET Infineon canal P, SOIC 5.4 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
5.4 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
SOIC W
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
59 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.4V
Tension de seuil minimale de la grille
1.3V
Dissipation de puissance maximum
2.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
4,7 nC @ 4,5 V, 9,1 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
4.98mm
Largeur
3.99mm
Matériau du transistor
Si
Séries
HEXFET
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1.57mm
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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P
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SOIC W
Type de fixation
CMS
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8
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.4V
Tension de seuil minimale de la grille
1.3V
Dissipation de puissance maximum
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Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
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Charge de Grille type @ Vgs
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Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
4.98mm
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Si
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