MOSFET Infineon canal P, SOIC 8 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
8 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de conditionnement
SOIC W
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
32 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.4V
Tension de seuil minimale de la grille
1.3V
Dissipation de puissance maximum
2 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
26 nC V @ 10
Nombre d'éléments par circuit
2
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
5mm
Largeur
4mm
Matériau du transistor
Si
Série
HEXFET
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
1.5mm
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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P
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SOIC W
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
32 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.4V
Tension de seuil minimale de la grille
1.3V
Dissipation de puissance maximum
2 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
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Nombre d'éléments par circuit
2
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
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Si
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