MOSFET Infineon canal N/P, SOIC 2,3 A, 3,5 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N, P
Courant continu de Drain maximum
2.3 A, 3.5 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Séries
HEXFET
Type de boîtier
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
100 mΩ, 250 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
2 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
6,1 nC @ 10 V, 6,9 nC @ 10 V
Largeur
4mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
5mm
Taille
1.5mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à double canal N/P, Infineon
Les transistors de puissance MOSFET doubles d'Infineon intègrent deux dispositifs HEXFET® pour fournir des solutions de commutation permettant un gain de place et qui soient rentables dans les conceptions à haute densité de composants dans lesquelles l'espace disponible sur la carte constitue un facteur primordial. Une grande variété d'options de boîtier est disponible et les concepteurs peuvent choisir la configuration à canal N/P double.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Prix sur demande
1
Prix sur demande
1
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N, P
Courant continu de Drain maximum
2.3 A, 3.5 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Séries
HEXFET
Type de boîtier
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
100 mΩ, 250 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
2 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
6,1 nC @ 10 V, 6,9 nC @ 10 V
Largeur
4mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
5mm
Taille
1.5mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à double canal N/P, Infineon
Les transistors de puissance MOSFET doubles d'Infineon intègrent deux dispositifs HEXFET® pour fournir des solutions de commutation permettant un gain de place et qui soient rentables dans les conceptions à haute densité de composants dans lesquelles l'espace disponible sur la carte constitue un facteur primordial. Une grande variété d'options de boîtier est disponible et les concepteurs peuvent choisir la configuration à canal N/P double.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.