Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
19 A
Tension Drain Source maximum
55 V
Séries
HEXFET
Type de boîtier
DPKZ
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Mode de canal
Enrichissement
Nombre d'éléments par circuit
2
Matériau du transistor
Silicium
€ 41,18
€ 0,824 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
€ 41,18
€ 0,824 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
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Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
---|---|---|
50 - 90 | € 0,824 | € 8,24 |
100 - 240 | € 0,788 | € 7,88 |
250 - 490 | € 0,754 | € 7,54 |
500+ | € 0,701 | € 7,01 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
19 A
Tension Drain Source maximum
55 V
Séries
HEXFET
Type de boîtier
DPKZ
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Mode de canal
Enrichissement
Nombre d'éléments par circuit
2
Matériau du transistor
Silicium