MOSFET Infineon canal N, TO-220AB 80 A 75 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
80 A
Tension Drain Source maximum
75 V
Série
HEXFET
Type de conditionnement
TO-220AB
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
9 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
140 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
56 nC @ 10 V
Largeur
4.82mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.66mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
9.02mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET pour commande de moteur et redresseur c.a.-c.c. synchrone, Infineon
MOSFET de commande moteur
Infineon propose une gamme de dispositifs MOSFET robustes à canal N et à canal P pour les applications de commande moteur.
MOSFET redresseur synchrone
La gamme de dispositifs MOSFET de redressement synchrones pour alimentations c.a.-c.c. répond aux demandes de vos clients pour une plus grande densité de puissance, une taille plus réduite, plus de portabilité et des systèmes plus souples.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 3,90
€ 0,78 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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5
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 0,78 | € 3,90 |
| 50 - 120 | € 0,522 | € 2,61 |
| 125 - 245 | € 0,482 | € 2,41 |
| 250 - 495 | € 0,452 | € 2,26 |
| 500+ | € 0,422 | € 2,11 |
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N
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Tension Drain Source maximum
75 V
Série
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Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
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Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
56 nC @ 10 V
Largeur
4.82mm
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Si
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1
Longueur
10.66mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
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Température de fonctionnement minimum
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MOSFET Transistors, Infineon
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