MOSFET Infineon canal N, TO-220AB 130 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
130 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
TO-220AB
Série
HEXFET
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
7 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
300 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.66mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Charge de Grille type @ Vgs
170 nC @ 10 V
Largeur
4.82mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.3V
Hauteur
9.02mm
Détails du produit
Transistor MOSFET pour commande de moteur et redresseur c.a.-c.c. synchrone, Infineon
MOSFET de commande moteur
Infineon propose une gamme de dispositifs MOSFET robustes à canal N et à canal P pour les applications de commande moteur.
MOSFET redresseur synchrone
La gamme de dispositifs MOSFET de redressement synchrones pour alimentations c.a.-c.c. répond aux demandes de vos clients pour une plus grande densité de puissance, une taille plus réduite, plus de portabilité et des systèmes plus souples.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 25,68
€ 2,57 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
10
€ 25,68
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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10
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 10 - 24 | € 2,57 |
| 25 - 49 | € 2,40 |
| 50 - 99 | € 2,23 |
| 100+ | € 2,08 |
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N
Courant continu de Drain maximum
130 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
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Série
HEXFET
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
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Single
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±20 V
Matériau du transistor
Si
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1
Longueur
10.66mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Charge de Grille type @ Vgs
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Largeur
4.82mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.3V
Hauteur
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Détails du produit
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MOSFET de commande moteur
Infineon propose une gamme de dispositifs MOSFET robustes à canal N et à canal P pour les applications de commande moteur.
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