MOSFET Infineon canal N, TO-247AC 42 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
42 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de conditionnement
TO-247AC
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
36 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
160 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
16.13mm
Charge de Grille type @ Vgs
110 nC V @ 10
Largeur
5.2mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Série
HEXFET
Taille
21.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N 100 V, Infineon
La gamme de transistors MOSFET de puissance discrets HEXFET®, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage en surface et câblés. Elle comprend également des facteurs de forme capables de s'adapter à toutes les configurations de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 20) (hors TVA)
Standard
20
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Through Hole
Nombre de broche
3
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36 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
160 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
16.13mm
Charge de Grille type @ Vgs
110 nC V @ 10
Largeur
5.2mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Série
HEXFET
Taille
21.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N 100 V, Infineon
La gamme de transistors MOSFET de puissance discrets HEXFET®, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage en surface et câblés. Elle comprend également des facteurs de forme capables de s'adapter à toutes les configurations de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.
MOSFET Transistors, Infineon
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