MOSFET Infineon canal N, TO-247AC 200 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
200 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Séries
HEXFET
Type de conditionnement
TO-247AC
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
280 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
5.31mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.87mm
Charge de Grille type @ Vgs
120 nF @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
20.7mm
Pays d'origine
Mexico
Détails du produit
Transistor MOSFET pour commande de moteur et redresseur c.a.-c.c. synchrone, Infineon
MOSFET de commande moteur
Infineon propose une gamme de dispositifs MOSFET robustes à canal N et à canal P pour les applications de commande moteur.
MOSFET redresseur synchrone
La gamme de dispositifs MOSFET de redressement synchrones pour alimentations c.a.-c.c. répond aux demandes de vos clients pour une plus grande densité de puissance, une taille plus réduite, plus de portabilité et des systèmes plus souples.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 58,96
€ 2,358 Each (In a Tube of 25) (hors TVA)
25
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€ 2,358 Each (In a Tube of 25) (hors TVA)
25
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 25 - 25 | € 2,358 | € 58,96 |
| 50 - 100 | € 2,005 | € 50,13 |
| 125 - 225 | € 1,887 | € 47,17 |
| 250 - 475 | € 1,746 | € 43,65 |
| 500+ | € 1,674 | € 41,86 |
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InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
200 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Séries
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Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
280 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
5.31mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.87mm
Charge de Grille type @ Vgs
120 nF @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
20.7mm
Pays d'origine
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MOSFET redresseur synchrone
La gamme de dispositifs MOSFET de redressement synchrones pour alimentations c.a.-c.c. répond aux demandes de vos clients pour une plus grande densité de puissance, une taille plus réduite, plus de portabilité et des systèmes plus souples.
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