MOSFET Infineon canal N, A-247 172 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
172 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Séries
StrongIRFET
Type de conditionnement
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3.3 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.7V
Tension de seuil minimale de la grille
2.1V
Dissipation de puissance maximum
230 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.87mm
Charge de Grille type @ Vgs
142 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
5.31mm
Matériau du transistor
Si
Taille
20.7mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance StrongIRFET™, Infineon
La famille StrongIRFET, d'Infineon, est optimisée pour des RDS(on) faibles et une intensité de courant élevée. Cette gamme offre une meilleure porte, une robustesse dv/dt avalanche et dynamique idéale pour les applications à basse fréquence industrielles, y compris les entraînements de moteur, les outils électriques, les inverseurs et la gestion de batterie, là où performance et robustesse sont essentielles.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 3,38
€ 1,69 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 1,69 | € 3,38 |
| 20 - 98 | € 1,203 | € 2,40 |
| 100 - 148 | € 1,173 | € 2,35 |
| 150 - 298 | € 1,144 | € 2,29 |
| 300+ | € 1,115 | € 2,23 |
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N
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Tension Drain Source maximum
-60 V
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Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3.3 mΩ
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Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.7V
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2.1V
Dissipation de puissance maximum
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Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
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1
Longueur
15.87mm
Charge de Grille type @ Vgs
142 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
5.31mm
Matériau du transistor
Si
Taille
20.7mm
Température de fonctionnement minimum
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MOSFET Transistors, Infineon
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