Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
172 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
TO-247
Séries
StrongIRFET
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
3,3 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.7V
Tension de seuil minimale de la grille
2.1V
Dissipation de puissance maximum
230 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
142 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.31mm
Longueur
15.87mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
20.7mm
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance StrongIRFET™, Infineon
La famille StrongIRFET, d'Infineon, est optimisée pour des RDS(on) faibles et une intensité de courant élevée. Cette gamme offre une meilleure porte, une robustesse dv/dt avalanche et dynamique idéale pour les applications à basse fréquence industrielles, y compris les entraînements de moteur, les outils électriques, les inverseurs et la gestion de batterie, là où performance et robustesse sont essentielles.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
€ 38,28
€ 1,531 Each (In a Tube of 25) (hors TVA)
25
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172 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
TO-247
Séries
StrongIRFET
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
3,3 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.7V
Tension de seuil minimale de la grille
2.1V
Dissipation de puissance maximum
230 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
142 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.31mm
Longueur
15.87mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
20.7mm
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance StrongIRFET™, Infineon
La famille StrongIRFET, d'Infineon, est optimisée pour des RDS(on) faibles et une intensité de courant élevée. Cette gamme offre une meilleure porte, une robustesse dv/dt avalanche et dynamique idéale pour les applications à basse fréquence industrielles, y compris les entraînements de moteur, les outils électriques, les inverseurs et la gestion de batterie, là où performance et robustesse sont essentielles.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.