Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
5 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Séries
HEXFET
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
600 mO
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Nombre d'éléments par circuit
1
€ 69,69
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
125
€ 69,69
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
125
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InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
5 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Séries
HEXFET
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
600 mO
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Nombre d'éléments par circuit
1