MOSFET Infineon canal N, DPAK 56 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
56 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
D-PAK
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
13.9 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
143 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
54 nC @ 10 V
Largeur
6.22mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
2.39mm
Série
HEXFET
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
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3
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
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Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
54 nC @ 10 V
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