Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
128 A
Tension Drain Source maximum
75 V
Séries
HEXFET
Type de conditionnement
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
0,0058 Ω
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si
€ 80,88
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
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Paquet de production (Bobine)
50
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Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
128 A
Tension Drain Source maximum
75 V
Séries
HEXFET
Type de conditionnement
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
0,0058 Ω
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si