Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
128 A
Tension Drain Source maximum
75 V
Série
HEXFET
Type de conditionnement
D2PAK (TO-263)
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
0,0058 Ω
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si
€ 96,45
€ 1,929 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
€ 96,45
€ 1,929 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
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Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
---|---|---|
50 - 90 | € 1,929 | € 19,29 |
100 - 240 | € 1,847 | € 18,47 |
250 - 490 | € 1,766 | € 17,66 |
500+ | € 1,644 | € 16,44 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
128 A
Tension Drain Source maximum
75 V
Série
HEXFET
Type de conditionnement
D2PAK (TO-263)
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
0,0058 Ω
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si