MOSFET Infineon canal N, D2PAK (TO-263) 246 A 75 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
246 A
Tension Drain Source maximum
75 V
Série
HEXFET
Type de conditionnement
D2PAK (TO-263)
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2.6 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.7V
Tension de seuil minimale de la grille
2.1V
Dissipation de puissance maximum
375 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
9.65mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.67mm
Charge de Grille type @ Vgs
271 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
4.83mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance StrongIRFET™, Infineon
La famille StrongIRFET, d'Infineon, est optimisée pour des RDS(on) faibles et une intensité de courant élevée. Cette gamme offre une meilleure porte, une robustesse dv/dt avalanche et dynamique idéale pour les applications à basse fréquence industrielles, y compris les entraînements de moteur, les outils électriques, les inverseurs et la gestion de batterie, là où performance et robustesse sont essentielles.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 28,22
€ 2,822 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
€ 28,22
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Paquet de production (Bobine)
10
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 10 - 18 | € 2,822 | € 5,64 |
| 20 - 48 | € 2,54 | € 5,08 |
| 50 - 98 | € 2,288 | € 4,58 |
| 100+ | € 2,171 | € 4,34 |
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InfineonType de canal
N
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246 A
Tension Drain Source maximum
75 V
Série
HEXFET
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Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2.6 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.7V
Tension de seuil minimale de la grille
2.1V
Dissipation de puissance maximum
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Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
9.65mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.67mm
Charge de Grille type @ Vgs
271 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
4.83mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
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