Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
72 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Série
HEXFET
Type de conditionnement
TO-262
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Mode de canal
Enrichissement
Nombre d'éléments par circuit
2
Matériau du transistor
Silicon
€ 44,59
€ 4,459 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
10
€ 44,59
€ 4,459 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
10
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Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
---|---|---|
10 - 18 | € 4,459 | € 8,92 |
20 - 48 | € 4,167 | € 8,33 |
50 - 98 | € 3,863 | € 7,73 |
100+ | € 3,571 | € 7,14 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
72 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Série
HEXFET
Type de conditionnement
TO-262
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Mode de canal
Enrichissement
Nombre d'éléments par circuit
2
Matériau du transistor
Silicon