Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
343 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type d'emballage
TO-220AB
Séries
HEXFET
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
375 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.67mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Charge de Grille type @ Vgs
108 nC @ 4,5 V
Largeur
4.83mm
Matériau du transistor
Si
Taille
9.02mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.3V
Détails du produit
Transistor MOSFET pour commande de moteur et redresseur c.a.-c.c. synchrone, Infineon
MOSFET de commande moteur
Infineon propose une gamme de dispositifs MOSFET robustes à canal N et à canal P pour les applications de commande moteur.
MOSFET redresseur synchrone
La gamme de dispositifs MOSFET de redressement synchrones pour alimentations c.a.-c.c. répond aux demandes de vos clients pour une plus grande densité de puissance, une taille plus réduite, plus de portabilité et des systèmes plus souples.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
€ 5,84
€ 2,922 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
2
€ 5,84
€ 2,922 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
2
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
2 - 18 | € 2,922 | € 5,84 |
20 - 48 | € 2,628 | € 5,26 |
50 - 98 | € 2,452 | € 4,90 |
100 - 198 | € 2,306 | € 4,61 |
200+ | € 2,135 | € 4,27 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
343 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type d'emballage
TO-220AB
Séries
HEXFET
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
375 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.67mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Charge de Grille type @ Vgs
108 nC @ 4,5 V
Largeur
4.83mm
Matériau du transistor
Si
Taille
9.02mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.3V
Détails du produit
Transistor MOSFET pour commande de moteur et redresseur c.a.-c.c. synchrone, Infineon
MOSFET de commande moteur
Infineon propose une gamme de dispositifs MOSFET robustes à canal N et à canal P pour les applications de commande moteur.
MOSFET redresseur synchrone
La gamme de dispositifs MOSFET de redressement synchrones pour alimentations c.a.-c.c. répond aux demandes de vos clients pour une plus grande densité de puissance, une taille plus réduite, plus de portabilité et des systèmes plus souples.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.