MOSFET Infineon canal N, TO-220AB 30 A 55 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
30 A
Tension Drain Source maximum
55 V
Série
HEXFET
Type de conditionnement
TO-220AB
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
35 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
68 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-16 V, +16 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Charge de Grille type @ Vgs
25 nC @ 5 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
8.77mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 55 V, Infineon
La gamme de transistors MOSFET de puissance HEXFET® discrets, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage en surface et câblés et des facteurs de forme capables de faire face à pratiquement toutes les dispositions de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 50,29
€ 1,006 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,006 | € 50,29 |
| 100 - 200 | € 0,784 | € 39,22 |
| 250 - 450 | € 0,734 | € 36,71 |
| 500 - 1200 | € 0,684 | € 34,19 |
| 1250+ | € 0,634 | € 31,68 |
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N
Courant continu de Drain maximum
30 A
Tension Drain Source maximum
55 V
Série
HEXFET
Type de conditionnement
TO-220AB
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
35 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
68 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-16 V, +16 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Charge de Grille type @ Vgs
25 nC @ 5 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
8.77mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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China
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Transistor MOSFET de puissance à canal N, 55 V, Infineon
La gamme de transistors MOSFET de puissance HEXFET® discrets, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage en surface et câblés et des facteurs de forme capables de faire face à pratiquement toutes les dispositions de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.
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