MOSFET Infineon canal P, SO-8 8 A 30 V, 8 broches

N° de stock RS: 171-1913PMarque: InfineonN° de pièce Mfr: SI4435DYTRPBF
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Infineon

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

8 A

Tension Drain Source maximum

30 V (canal N), 30 V (canal P)

Série

Si4435DYPbF

Type de conditionnement

SO-8

Type de montage

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

35 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

0

Tension de seuil minimale de la grille

1V

Dissipation de puissance maximum

2.5 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

20 V

Largeur

4mm

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

5mm

Charge de Grille type @ Vgs

40 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Taille

1.5mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Tension directe de la diode

1.2V

Gain en puissance typique

0

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€ 62,54

€ 0,625 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

MOSFET Infineon canal P, SO-8 8 A 30 V, 8 broches
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Paquet de production (Bobine)

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Standard - each

Disponible en multiples de 10.

Production -

Disponible en multiples de 10.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

100

Disponible en multiples de 10
100€ 62,54
110€ 68,79
120€ 75,04
130€ 81,30
140€ 87,55
150€ 93,81
160€ 100,06
170€ 106,31
180€ 112,57
190€ 118,82
200€ 125,07
210€ 131,33
220€ 137,58
230€ 143,83
240€ 150,09

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170€ 106,31
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190€ 118,82
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QuantitéPrix unitairePar Bobine
100 - 240€ 0,625€ 6,25
250 - 490€ 0,60€ 6,00
500 - 990€ 0,574€ 5,74
1000+€ 0,534€ 5,34

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P

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Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

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Mode de canal

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0

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Configuration du transistor

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Tension Grille Source maximum

20 V

Largeur

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1

Longueur

5mm

Charge de Grille type @ Vgs

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