MOSFET Infineon canal P, SO-8 8 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
8 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Séries
Si4435DYPbF
Type d'emballage
SO-8
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
35 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
0
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
2,5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
20 V
Largeur
4mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
40 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Hauteur
1.5mm
Gain en puissance typique
0
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€ 63,46
€ 0,635 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
€ 63,46
€ 0,635 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
100
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 100 - 240 | € 0,635 | € 6,35 |
| 250 - 490 | € 0,609 | € 6,09 |
| 500 - 990 | € 0,583 | € 5,83 |
| 1000+ | € 0,542 | € 5,42 |
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Brand
InfineonType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
8 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Séries
Si4435DYPbF
Type d'emballage
SO-8
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
35 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
0
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
2,5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
20 V
Largeur
4mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
40 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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