MOSFET Infineon canal P, SO-8 8 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
8 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Série
Si4435DYPbF
Type de conditionnement
SO-8
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
35 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
2.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4mm
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
40 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Hauteur
1.5mm
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€ 1 137,23
€ 0,284 Each (On a Reel of 4000) (hors TVA)
4000
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Type de conditionnement
SO-8
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CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
2.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4mm
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
40 nC @ 10 V
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