MOSFET Infineon canal N, A-220 2 A 800 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
2 A
Tension Drain Source maximum
800 V
Série
CoolMOS™ C3
Type de conditionnement
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2,7 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
30,5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Longueur
10.85mm
Charge de Grille type @ Vgs
12 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
4.85mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Hauteur
16.15mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Détails du produit
Transistors MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™C3
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 8,78
€ 0,878 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
10
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,878 | € 8,78 |
| 100 - 240 | € 0,835 | € 8,35 |
| 250 - 490 | € 0,799 | € 7,99 |
| 500 - 990 | € 0,764 | € 7,64 |
| 1000+ | € 0,711 | € 7,11 |
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N
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2 A
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Série
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Type de conditionnement
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2,7 mΩ
Mode de canal
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Dissipation de puissance maximum
30,5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Longueur
10.85mm
Charge de Grille type @ Vgs
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Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
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Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Hauteur
16.15mm
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Tension directe de la diode
1.2V
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