MOSFET Infineon canal P, DPAK (TO-252) 8,8 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
8.8 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Série
SIPMOS®
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
300 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2.1V
Dissipation de puissance maximum
42000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
6.5mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Charge de Grille type @ Vgs
10 nC V @ 10
Largeur
6.22mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Standard automobile
AEC-Q101
Taille
2.3mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.55V
Détails du produit
Transistors MOSFET canal P Infineon SIPMOS®
Le transistor MOSFET canal P de petit signal Infineon SIPMOS® présente plusieurs caractéristiques qui peuvent inclure le mode d'enrichissement, le courant continu débité pouvant être aussi faible que -80 A, ainsi qu'une large plage de températures d'utilisation. Le transistor de puissance SIPMOS peut être utilisé dans une grande variété d'applications, notamment les télécommunications, eMobility, les ordinateurs PC portables, les circuits c.c./c.c., ainsi que l'industrie automobile.
· Conforme AEC Q101 (veuillez vous référer à la fiche technique)
· Placage sans plomb, conforme à la directive RoHS
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 50,12
€ 0,501 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
100
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 100 - 240 | € 0,501 | € 5,01 |
| 250 - 490 | € 0,481 | € 4,81 |
| 500 - 990 | € 0,459 | € 4,59 |
| 1000+ | € 0,427 | € 4,27 |
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P
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Tension Drain Source maximum
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Série
SIPMOS®
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CMS
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3
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
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Dissipation de puissance maximum
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Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
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Température d'utilisation maximum
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Charge de Grille type @ Vgs
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Largeur
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Si
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1
Standard automobile
AEC-Q101
Taille
2.3mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.55V
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Le transistor MOSFET canal P de petit signal Infineon SIPMOS® présente plusieurs caractéristiques qui peuvent inclure le mode d'enrichissement, le courant continu débité pouvant être aussi faible que -80 A, ainsi qu'une large plage de températures d'utilisation. Le transistor de puissance SIPMOS peut être utilisé dans une grande variété d'applications, notamment les télécommunications, eMobility, les ordinateurs PC portables, les circuits c.c./c.c., ainsi que l'industrie automobile.
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